Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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Titre : | Étude de quelques propriétés physiques du composé BiVO4 par le premier principe | Type de document : | texte manuscrit | Auteurs : | Hadda Djaidir, Auteur ; Mohamed Bouchenafa, Directeur de thèse | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière | Année de publication : | 2018 | Importance : | 52 p. | Format : | 30 cm. | Accompagnement : | 1 disque optique numérique (CD-ROM) | Note générale : | Option : Physique des matériaux | Langues : | Français | Mots-clés : | DFT BiVO4 Scheelite Propriétés électroniques élastiques et structurelles Pression | Résumé : | Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et élastiques des orthovanadate BiVO4 dans la structure scheelite tétragonale, en utilisant une méthode ab-initio dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les résultats trouvés son ten bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. La structure de bande gap indique que ce compose est un semi-conducteur a gap indirect. Les calculs montrent que le BiVO4reste stable mécaniquement jusqu’à une pression de 9 GPa.
| note de thèses : | Mémoire de master en physique |
Étude de quelques propriétés physiques du composé BiVO4 par le premier principe [texte manuscrit] / Hadda Djaidir, Auteur ; Mohamed Bouchenafa, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière, 2018 . - 52 p. ; 30 cm. + 1 disque optique numérique (CD-ROM). Option : Physique des matériaux Langues : Français Mots-clés : | DFT BiVO4 Scheelite Propriétés électroniques élastiques et structurelles Pression | Résumé : | Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et élastiques des orthovanadate BiVO4 dans la structure scheelite tétragonale, en utilisant une méthode ab-initio dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les résultats trouvés son ten bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. La structure de bande gap indique que ce compose est un semi-conducteur a gap indirect. Les calculs montrent que le BiVO4reste stable mécaniquement jusqu’à une pression de 9 GPa.
| note de thèses : | Mémoire de master en physique |
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MP 01-50 | MP 01-50 | Thése | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DES SCIENCES | théses (sci) | Disponible |