Étude des propriétés électroniques, optiques et élastiques du composé binaire de type III-V et leur alliage / Mohamed Ali Rayane

Public ISBD Titre : Étude des propriétés électroniques, optiques et élastiques du composé binaire de type III-V et leur alliage Type de document : texte manuscrit Auteurs : Mohamed Ali Rayane, Auteur ; Fatima Elhamra, Directeur de thèse Editeur : Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière Année de publication : 2022 Importance : 56 p. Format : 27 cm. Accompagnement : 1 disque optique numérique (CD-ROM) Note générale : Option : Physique appliquée Langues : Français Mots-clés : CASTEP  GGA  GaAs  Ga1−xAlxAs  Propriétés électroniques optiques et élastiques Résumé : Les semiconducteurs III-V présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques, optiques et élastiques de l’alliage Ga1−xAlxAs en fonction de la concentration de Al. On a conclu que le paramètre de maille diminue avec l’augmentation de la concentration en Aluminium. Le gap de l’alliage ternaire de Ga1−xAlxAs augmente en augmentant la concentration x (Al). La constante diélectrique statique ε1(0) et l’indice de réfraction statique n(0) diminue avec l’augmentation de la concentration x de Al. Les constantes élastiques (C11, C12 et C44) augmentent avec l'augmentation de la concentration de d’Aluminium (Al). Et en fin notre alliage est mécaniquement stable pour toutes les valeurs x car les constantes élastiques calculées respectent les conditions de stabilité cubique. note de thèses : Mémoire de master en physique Étude des propriétés électroniques, optiques et élastiques du composé binaire de type III-V et leur alliage [texte manuscrit] / Mohamed Ali Rayane, Auteur ; Fatima Elhamra, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière, 2022 . - 56 p. ; 27 cm. + 1 disque optique numérique (CD-ROM). Option : Physique appliquée Langues : Français Mots-clés : CASTEP  GGA  GaAs  Ga1−xAlxAs  Propriétés électroniques optiques et élastiques Résumé : Les semiconducteurs III-V présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques, optiques et élastiques de l’alliage Ga1−xAlxAs en fonction de la concentration de Al. On a conclu que le paramètre de maille diminue avec l’augmentation de la concentration en Aluminium. Le gap de l’alliage ternaire de Ga1−xAlxAs augmente en augmentant la concentration x (Al). La constante diélectrique statique ε1(0) et l’indice de réfraction statique n(0) diminue avec l’augmentation de la concentration x de Al. Les constantes élastiques (C11, C12 et C44) augmentent avec l'augmentation de la concentration de d’Aluminium (Al). Et en fin notre alliage est mécaniquement stable pour toutes les valeurs x car les constantes élastiques calculées respectent les conditions de stabilité cubique. note de thèses : Mémoire de master en physique

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MP 02-62	MP 02-62	Thése	BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DES SCIENCES	théses (sci)	Disponible

---

page 1/1