Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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Auteur Mohamed abdel basset Hamdaoui
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| Titre : | Contribution à l'étude par simulation d'une diode électroluminescente (LED) à base de InGaN/GaN à multi puits quantiques par TCAD SILVACO- | | Type de document : | texte manuscrit | | Auteurs : | Mohamed abdel basset Hamdaoui, Auteur ; Ahmed Badr Eddine Debba, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse | | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique | | Année de publication : | 2022 | | Importance : | 94p. | | Note générale : | OPTION : Microélectroniques | | Langues : | Français | | Résumé : | II-V nitride semiconductor materials are useful for light emitting device in short
wavelength region due to their relatively wide band gap and high emission efficiency.
Different types and structures have been previously studied. In our work, multi
quantum well (MQW) LED based on InGaN/GaN using Silvaco-Atlas software has
been simulated and studied.
The performance of InGaN quantum well based Light Emitting Diodes (multi
quantum wells); (LEDs) had been numerically investigated by Tcad-Silvaco. We
simulated different characteristics in this study to see the effect it will make in terms
of wavelength, I-V characteristic, Luminosity power and Radaitive Recombination
rate.
Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrure III-V sont utiles pour les
dispositifs émetteurs de lumière dans la région des courtes longueurs d'onde en raison
de leur bande interdite relativement large et de leur haute efficacité d'émission.
Différents types et structures ont été précédemment étudiés dans la littérature. Dans
notre travail, une LED à puits quantiques multiples (MQW) basée sur InGaN/GaN
utilisant le logiciel Silvaco-Atlas a été simulée et étudiée.
Les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de puits quantiques
en InGaN (multi quantum wells) ont été étudiées numériquement par Tcad-Silvaco.
Nous avons simulé différentes caractéristiques dans cette étude pour voir l'effet
qu'elles auront en termes de longueur d'onde, de caractéristique I-V, de puissance
lumineuse et de taux de recombinaison radaitive. | | note de thèses : | memoire de master |
Contribution à l'étude par simulation d'une diode électroluminescente (LED) à base de InGaN/GaN à multi puits quantiques par TCAD SILVACO- [texte manuscrit] / Mohamed abdel basset Hamdaoui, Auteur ; Ahmed Badr Eddine Debba, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2022 . - 94p. OPTION : Microélectroniques Langues : Français | Résumé : | II-V nitride semiconductor materials are useful for light emitting device in short
wavelength region due to their relatively wide band gap and high emission efficiency.
Different types and structures have been previously studied. In our work, multi
quantum well (MQW) LED based on InGaN/GaN using Silvaco-Atlas software has
been simulated and studied.
The performance of InGaN quantum well based Light Emitting Diodes (multi
quantum wells); (LEDs) had been numerically investigated by Tcad-Silvaco. We
simulated different characteristics in this study to see the effect it will make in terms
of wavelength, I-V characteristic, Luminosity power and Radaitive Recombination
rate.
Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrure III-V sont utiles pour les
dispositifs émetteurs de lumière dans la région des courtes longueurs d'onde en raison
de leur bande interdite relativement large et de leur haute efficacité d'émission.
Différents types et structures ont été précédemment étudiés dans la littérature. Dans
notre travail, une LED à puits quantiques multiples (MQW) basée sur InGaN/GaN
utilisant le logiciel Silvaco-Atlas a été simulée et étudiée.
Les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de puits quantiques
en InGaN (multi quantum wells) ont été étudiées numériquement par Tcad-Silvaco.
Nous avons simulé différentes caractéristiques dans cette étude pour voir l'effet
qu'elles auront en termes de longueur d'onde, de caractéristique I-V, de puissance
lumineuse et de taux de recombinaison radaitive. | | note de thèses : | memoire de master |
|
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Exemplaires
| Disponibilité |
|---|
| the 09-151 | the 09-151 | Thése | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | Genie electrique (TEC) | Disponible |
