Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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Auteur Sofiane Houari Barka
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| Titre : | Modélisation et optimisation des performances des cellules solaires HIT à base de silicium | | Type de document : | texte manuscrit | | Auteurs : | Sofiane Houari Barka, Auteur ; Noureddine Benchaa Boukhar, Auteur ; Abdelhafid Mouhoub, Directeur de thèse | | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique | | Année de publication : | 2022 | | Importance : | 66p. | | Note générale : | OPTION : Instrumentation | | Langues : | Français | | Résumé : | Dans ce travail nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire
destructure HIT ("Heterojunction with Intrinsic Layer") sont constituées d'un substrat de
siliciumcristallin (c-Si) d'épaisseur comprise entre 100 et 300 μm, et d'une fine couche desilicium
amorphe (a-Si:H) jouant le rôle d'émetteur en face avant et de champ de surface arrière(BSF), et une
couche de a-Si:H non dopé entre le substrat et l'émetteur. En vue d'améliorer les performances de ces,
une optimisation par simulation à l’aide du logiciel SCAPS. Cette optimisationnous permet de donné
les différents paramètres des matériaux qui correspondent au rendementmaximal de la cellule.
Les résultats de la simulation obtenus ont montré que :
Les performances des cellules sont meilleures pour des couches de c-Si(n) plus conductrices.
L’effetde la concentration des défauts est similaire sur les différentes cellules solaires simulées, doit
êtrefaible. La couche Si:H(i) a pour rôle de diminuer le taux de recombinaison à l’interface a-Si:H/c-Si
parune passivation efficace de la surface de la base. Les résultats de la simulation obtenus ont
montréque : le rendement de conversion des cellules HIT à 25.56% en misant sur les paramètres
optimaux àsavoir :un émetteur ayant un gap de 1,75 eV et une épaisseur de 0.01μm dopé
à2. 10 | | note de thèses : | memoire de master |
Modélisation et optimisation des performances des cellules solaires HIT à base de silicium [texte manuscrit] / Sofiane Houari Barka, Auteur ; Noureddine Benchaa Boukhar, Auteur ; Abdelhafid Mouhoub, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2022 . - 66p. OPTION : Instrumentation Langues : Français | Résumé : | Dans ce travail nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire
destructure HIT ("Heterojunction with Intrinsic Layer") sont constituées d'un substrat de
siliciumcristallin (c-Si) d'épaisseur comprise entre 100 et 300 μm, et d'une fine couche desilicium
amorphe (a-Si:H) jouant le rôle d'émetteur en face avant et de champ de surface arrière(BSF), et une
couche de a-Si:H non dopé entre le substrat et l'émetteur. En vue d'améliorer les performances de ces,
une optimisation par simulation à l’aide du logiciel SCAPS. Cette optimisationnous permet de donné
les différents paramètres des matériaux qui correspondent au rendementmaximal de la cellule.
Les résultats de la simulation obtenus ont montré que :
Les performances des cellules sont meilleures pour des couches de c-Si(n) plus conductrices.
L’effetde la concentration des défauts est similaire sur les différentes cellules solaires simulées, doit
êtrefaible. La couche Si:H(i) a pour rôle de diminuer le taux de recombinaison à l’interface a-Si:H/c-Si
parune passivation efficace de la surface de la base. Les résultats de la simulation obtenus ont
montréque : le rendement de conversion des cellules HIT à 25.56% en misant sur les paramètres
optimaux àsavoir :un émetteur ayant un gap de 1,75 eV et une épaisseur de 0.01μm dopé
à2. 10 | | note de thèses : | memoire de master |
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| Disponibilité |
|---|
| the 09-156 | the 09-156 | Thése | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | Genie electrique (TEC) | Disponible |
