Titre : | Etude des cellules solaires à base de silicium nanocristallin | Type de document : | document multimédia | Auteurs : | Maroua Khanfar, Auteur ; Ikram Telli, Auteur ; Manelle Hannachi, Directeur de thèse | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie des procédés | Année de publication : | 2023 | Importance : | 40p. | Accompagnement : | 1 CD ROM Optique Némérique | Note générale : | OPTION : Génie chimique | Langues : | Français | Mots-clés : | Silicium, Amorphe, Nanocristallin, Simulation, SCAPS. | Résumé : | Dans cette présente étude, nous avons simulé la cellule solaire nc-Si:H(p) / a-Si:H(n) en examinant l’effet de la variation de l’épaisseur des couches nc-Si:H(p), a-Si:H(n) sur les paramètres de cellule photovoltaïque , la tension VOC , la densité du courant JSC ,le facteur de forme FF et le rendement ղ . Nous avons aussi simulé une deuxième cellule nc-Si:H(p) / SnS /a-Si:H(n) en étudiant l’effet de la variation de l’épaisseur de la couche SnS.Cette la simulation a été réalisée en utilisant le logiciel SCAPS (Solar Cell Capacitance Simulator), avec une température de fonctionnement 300 K , et un rayonnement AM 1,5 avec une densité de puissance incidente de 1000w/m². | note de thèses : | memoire de master Génie des Procédés |
Etude des cellules solaires à base de silicium nanocristallin [document multimédia] / Maroua Khanfar, Auteur ; Ikram Telli, Auteur ; Manelle Hannachi, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie des procédés, 2023 . - 40p. + 1 CD ROM Optique Némérique. OPTION : Génie chimique Langues : Français Mots-clés : | Silicium, Amorphe, Nanocristallin, Simulation, SCAPS. | Résumé : | Dans cette présente étude, nous avons simulé la cellule solaire nc-Si:H(p) / a-Si:H(n) en examinant l’effet de la variation de l’épaisseur des couches nc-Si:H(p), a-Si:H(n) sur les paramètres de cellule photovoltaïque , la tension VOC , la densité du courant JSC ,le facteur de forme FF et le rendement ղ . Nous avons aussi simulé une deuxième cellule nc-Si:H(p) / SnS /a-Si:H(n) en étudiant l’effet de la variation de l’épaisseur de la couche SnS.Cette la simulation a été réalisée en utilisant le logiciel SCAPS (Solar Cell Capacitance Simulator), avec une température de fonctionnement 300 K , et un rayonnement AM 1,5 avec une densité de puissance incidente de 1000w/m². | note de thèses : | memoire de master Génie des Procédés |
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