Decodage des fichiers tle pour l'extraction des elements orbitaux / H. Madani Yassaad in COST, N° 12 ([01/01/2013])

Public ISBD [article]  in COST > N° 12 [01/01/2013] . - p. 67 Titre : Decodage des fichiers tle pour l'extraction des elements orbitaux Type de document : texte imprimé Auteurs : H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur Année de publication : 2013 Article en page(s) : p. 67 Langues : Français Mots-clés : Satellites NOAA  fichiers TLE  Elements orbitaux  prévision et poursuite des satellites  Station de réception  Propagateur SGP4 Résumé : Nous présentons dans cet article un logiciel de décodage des fichiers TLE, fournis par le NORAD2, pour lextraction des éléments orbitaux qui sont les paramètres indispensables à toute prévision de passage des satellites filtrants tel que la série NOAA3. Une fois ces éléments extraits, ils seront injectés comme paramètres d'entrée dans l'algorithme de prévision qui calculera l'élévation et l'azimut que devra avoir une antenne parabolique pour pointer le satellite lors de son passage au-dessus de la station de réception des images satellites. [article] Decodage des fichiers tle pour l'extraction des elements orbitaux [texte imprimé] / H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur . - 2013 . - p. 67. Langues : Français in COST > N° 12 [01/01/2013] . - p. 67 Mots-clés : Satellites NOAA  fichiers TLE  Elements orbitaux  prévision et poursuite des satellites  Station de réception  Propagateur SGP4 Résumé : Nous présentons dans cet article un logiciel de décodage des fichiers TLE, fournis par le NORAD2, pour lextraction des éléments orbitaux qui sont les paramètres indispensables à toute prévision de passage des satellites filtrants tel que la série NOAA3. Une fois ces éléments extraits, ils seront injectés comme paramètres d'entrée dans l'algorithme de prévision qui calculera l'élévation et l'azimut que devra avoir une antenne parabolique pour pointer le satellite lors de son passage au-dessus de la station de réception des images satellites.

Étude de L'électrode de contact avant de la structure ito/p-a-si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al avec le logiciel Asdmp / H. Madani Yassaad in COST, N° 10 ([01/01/2012])

Public ISBD [article]  in COST > N° 10 [01/01/2012] . - p. 111 Titre : Étude de L'électrode de contact avant de la structure ito/p-a-si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al avec le logiciel Asdmp Type de document : texte imprimé Auteurs : H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur Année de publication : 2012 Article en page(s) : p. 111 Langues : Français Mots-clés : Cellules solaires  HIT  Simulation  Courbe de bande  Caractéristique I(V) Résumé : La courbe de bande entre le TCO / p-a-Si: H est parmi les facteurs les plus importants qui limitent les performances des hétérojonctions à base de silicium amorphe / silicium cristallin Dans cet article nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) pour étudier et analyser l'effet de cette courbe de bande de l'électrode de contact avant de la structure (HIT) ITO / p-a-Si:H / i-pm-Si: H / n-c-Si / Al. Nous avons montre que lorsque l'on augmente cette courbe de bande (Augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel) qui mène à un meilleur contact ohmique entre V'ITO et la couche p-a-Si: H, le Vbi augmente et le champ électrique à l'interface ITO / p-a-Si:H diminue. Cette réduction du champ va permettre aux trous de passer de la couche pau contact, ce qui va faciliter la collecte des paires d'électrons trous. [article] Étude de L'électrode de contact avant de la structure ito/p-a-si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al avec le logiciel Asdmp [texte imprimé] / H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur . - 2012 . - p. 111. Langues : Français in COST > N° 10 [01/01/2012] . - p. 111 Mots-clés : Cellules solaires  HIT  Simulation  Courbe de bande  Caractéristique I(V) Résumé : La courbe de bande entre le TCO / p-a-Si: H est parmi les facteurs les plus importants qui limitent les performances des hétérojonctions à base de silicium amorphe / silicium cristallin Dans cet article nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) pour étudier et analyser l'effet de cette courbe de bande de l'électrode de contact avant de la structure (HIT) ITO / p-a-Si:H / i-pm-Si: H / n-c-Si / Al. Nous avons montre que lorsque l'on augmente cette courbe de bande (Augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel) qui mène à un meilleur contact ohmique entre V'ITO et la couche p-a-Si: H, le Vbi augmente et le champ électrique à l'interface ITO / p-a-Si:H diminue. Cette réduction du champ va permettre aux trous de passer de la couche pau contact, ce qui va faciliter la collecte des paires d'électrons trous.

Study of p-layer on the hydrogenated amorphous silicon HIT solar cells / W.L. Rahal in COST, N° 18 ([01/01/2017])

Public ISBD [article]  in COST > N° 18 [01/01/2017] . - p. 64 Titre : Study of p-layer on the hydrogenated amorphous silicon HIT solar cells Type de document : texte imprimé Auteurs : W.L. Rahal, Auteur ; H. Madani Yassaad, Auteur ; D. Rachid, Auteur Année de publication : 2017 Article en page(s) : p. 64 Langues : Anglais Mots-clés : Simulation  HIT solar cells  Doping density  Surface band bending  Potential barrier height  J(V) characteristics Résumé : In this article, we've studied the effect of p-layer doping density NA and surface band bending Esbb at the interface ITO/p-layer on the performance of heterojunction solar cell (ITO/p-a-S:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al). Despite the deterioration ofp-layer material quality with doping density, the reduced bulk recombination was found to compensate for the increased loss in the p-layer. An increase ofp-layer doping density NA and contact barrier height фьо (Variation of the surface band bending Esbb) leads to an increase of the efficiency of HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar cells. [article] Study of p-layer on the hydrogenated amorphous silicon HIT solar cells [texte imprimé] / W.L. Rahal, Auteur ; H. Madani Yassaad, Auteur ; D. Rachid, Auteur . - 2017 . - p. 64. Langues : Anglais in COST > N° 18 [01/01/2017] . - p. 64 Mots-clés : Simulation  HIT solar cells  Doping density  Surface band bending  Potential barrier height  J(V) characteristics Résumé : In this article, we've studied the effect of p-layer doping density NA and surface band bending Esbb at the interface ITO/p-layer on the performance of heterojunction solar cell (ITO/p-a-S:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al). Despite the deterioration ofp-layer material quality with doping density, the reduced bulk recombination was found to compensate for the increased loss in the p-layer. An increase ofp-layer doping density NA and contact barrier height фьо (Variation of the surface band bending Esbb) leads to an increase of the efficiency of HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar cells.

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