Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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[article] in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 37 | Titre : | Analyse technico-economique et optimistion du depot de silicium par pyrol yse de silane | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | T. Tamani, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur | | Année de publication : | 1995 | | Article en page(s) : | p. 37 | | Langues : | Français | | Résumé : | Ce travail présente une étude technico-économique du procédé industriel de dépôt chimique de silicium polycristallin par pyrolyse d'une phase gazeuse constituée de silane. Un code de calcul estimant le coût d'une opération de CVD a été élaboré, il tient compte de toutes les dépenses inhérentes à l'exploitation annuelle dans un contexte industriel. La consommation des gaz et l'amortissement du matériel constituent les deux postes majeurs du coût total. L'optimisation du critère montre que le coût total de fonctionnement pour une production libre peut-être réduit de près de 18% en utilisant un profilage en température du four. |
[article] Analyse technico-economique et optimistion du depot de silicium par pyrol yse de silane [texte imprimé] / T. Tamani, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur . - 1995 . - p. 37. Langues : Français in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 37 | Résumé : | Ce travail présente une étude technico-économique du procédé industriel de dépôt chimique de silicium polycristallin par pyrolyse d'une phase gazeuse constituée de silane. Un code de calcul estimant le coût d'une opération de CVD a été élaboré, il tient compte de toutes les dépenses inhérentes à l'exploitation annuelle dans un contexte industriel. La consommation des gaz et l'amortissement du matériel constituent les deux postes majeurs du coût total. L'optimisation du critère montre que le coût total de fonctionnement pour une production libre peut-être réduit de près de 18% en utilisant un profilage en température du four. |
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[article] in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 49 | Titre : | Stratégie de développement d'opérations de CVD-CAS des réacteurs annulaire et secteur | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | H. Vergnes, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur | | Année de publication : | 1995 | | Article en page(s) : | p. 49 | | Langues : | Français | | Résumé : | Cetarticle présente un nouveau type d'appareil, appelé le réacteur annulaire, conçu afin de traiter un grand nombre de substrats avec une bonne uniformité de dépôt. Il déait également un modèle réduit de cetequipement, appelé le reacteur secteur. Celui-ci constime un appareil de laboratoire particulièrementutile pour la réalisation, à faible coûts de l'inévitable partie expérimentale du développement de toute nouvelle application. Des résuliats théoriques et expérimentux obtenus avec ces réacteurs sont décrits et comparés à ceux obtenus avec le réacteur le plus courament utilisé en microélectronique, le réacteur tubulaire à murs chauds. Ces résultais montrent aussi la concordanceentre le modéle réduitetson prototype, et l'émargence d'une nouvelle façon de procéder lors de lamise au point de procédure avec l'utilisation du modele réduit dans la phase de développament |
[article] Stratégie de développement d'opérations de CVD-CAS des réacteurs annulaire et secteur [texte imprimé] / H. Vergnes, Auteur ; P. Duverneuil, Auteur . - 1995 . - p. 49. Langues : Français in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 49 | Résumé : | Cetarticle présente un nouveau type d'appareil, appelé le réacteur annulaire, conçu afin de traiter un grand nombre de substrats avec une bonne uniformité de dépôt. Il déait également un modèle réduit de cetequipement, appelé le reacteur secteur. Celui-ci constime un appareil de laboratoire particulièrementutile pour la réalisation, à faible coûts de l'inévitable partie expérimentale du développement de toute nouvelle application. Des résuliats théoriques et expérimentux obtenus avec ces réacteurs sont décrits et comparés à ceux obtenus avec le réacteur le plus courament utilisé en microélectronique, le réacteur tubulaire à murs chauds. Ces résultais montrent aussi la concordanceentre le modéle réduitetson prototype, et l'émargence d'une nouvelle façon de procéder lors de lamise au point de procédure avec l'utilisation du modele réduit dans la phase de développament |
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