Synthèse du disilane pur et exempt de pollution particulaire à partir du Monosilane par décharge électrique / A. Villermet in Récents progrés en génie des procédés, VOL 9 N° 39 ([21/09/1995])

Public ISBD [article]  in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 103 Titre : Synthèse du disilane pur et exempt de pollution particulaire à partir du Monosilane par décharge électrique Type de document : texte imprimé Auteurs : A. Villermet, Auteur ; P. Didier, Auteur Année de publication : 1995 Article en page(s) : p. 103 Langues : Français Résumé : Malgré des avantages technologiques importants dans les procédés de dépôt de films de silicium amorphe hydrogéné, le marché du disilane ne parvient pas à se développer en raison des incompatibilités liées à une pureté trop faible et un prix prohibitif. Le procédé de synthèse que nous avons entrepris de développer permet de répondre aux besoins industriels de la fourniture de disilane exempt d'impuretés dopantes et d'un coût de production non prohibitif. Basé sur une décharge électrique dans du monosilane et un piégeage cryogénique du disilane au coeur même de la zone réactionnelle, ce procédé montre une sélectivité importante. Cette étude a permis de résoudre en partie le problème lié à la formation de particules de silicium amorphe hydrogéné et d'optimiser le procédé en fonction des nombreux paramètres. [article] Synthèse du disilane pur et exempt de pollution particulaire à partir du Monosilane par décharge électrique [texte imprimé] / A. Villermet, Auteur ; P. Didier, Auteur . - 1995 . - p. 103. Langues : Français in Récents progrés en génie des procédés > VOL 9 N° 39 [21/09/1995] . - p. 103 Résumé : Malgré des avantages technologiques importants dans les procédés de dépôt de films de silicium amorphe hydrogéné, le marché du disilane ne parvient pas à se développer en raison des incompatibilités liées à une pureté trop faible et un prix prohibitif. Le procédé de synthèse que nous avons entrepris de développer permet de répondre aux besoins industriels de la fourniture de disilane exempt d'impuretés dopantes et d'un coût de production non prohibitif. Basé sur une décharge électrique dans du monosilane et un piégeage cryogénique du disilane au coeur même de la zone réactionnelle, ce procédé montre une sélectivité importante. Cette étude a permis de résoudre en partie le problème lié à la formation de particules de silicium amorphe hydrogéné et d'optimiser le procédé en fonction des nombreux paramètres.

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