Insight into the physical properties of the compound Ag2BaSnS4 / Mohamed Tayeb Ben arfa

Public ISBD Titre : Insight into the physical properties of the compound Ag2BaSnS4 : DFT study Type de document : document multimédia Auteurs : Mohamed Tayeb Ben arfa, Auteur ; Riyad Hayani, Auteur ; Soraya Belhadj, Directeur de thèse Editeur : Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie des procédés Année de publication : 2024 Importance : 60 p. Accompagnement : 1 disque optique numérique (CD-ROM) Note générale : Option : Chemical Engineering Langues : Français (fre) Mots-clés : Calculs ab-initio  FP-LAPW  DFT  WC-GGA  Structure électronique  Bande interdite  Densité d'états  Semi-conducteurs II-VI Résumé : Nous avons effectué des calculs ab-initio des propriétés structurales et électroniques de composé Ag2BaSeSi4. L’objectif de cette étude est de déterminer le gap de ce semi-conducteur, il est intéressant dans les applications optoélectroniques. Le calcul a été effectué en utilisant la méthode linéaire des ondes planes augmentées à potentiel total (FP-LAPW) implanté dans le code Wien2k, dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) en utilisant l’approximation de la WC-GGA en utilisant le potentiel modifié de Becke-Johnson (TB-mBJ) . Les résultats obtenus sont en concordance avec les résultats expérimentaux. La structure de bande électronique et les densités d’états partielles et totales ont été calculées. note de thèses : Mémoire de master en génie des procédés Insight into the physical properties of the compound Ag2BaSnS4 : DFT study [document multimédia] / Mohamed Tayeb Ben arfa, Auteur ; Riyad Hayani, Auteur ; Soraya Belhadj, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie des procédés, 2024 . - 60 p. + 1 disque optique numérique (CD-ROM). Option : Chemical Engineering Langues : Français (fre) Mots-clés : Calculs ab-initio  FP-LAPW  DFT  WC-GGA  Structure électronique  Bande interdite  Densité d'états  Semi-conducteurs II-VI Résumé : Nous avons effectué des calculs ab-initio des propriétés structurales et électroniques de composé Ag2BaSeSi4. L’objectif de cette étude est de déterminer le gap de ce semi-conducteur, il est intéressant dans les applications optoélectroniques. Le calcul a été effectué en utilisant la méthode linéaire des ondes planes augmentées à potentiel total (FP-LAPW) implanté dans le code Wien2k, dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) en utilisant l’approximation de la WC-GGA en utilisant le potentiel modifié de Becke-Johnson (TB-mBJ) . Les résultats obtenus sont en concordance avec les résultats expérimentaux. La structure de bande électronique et les densités d’états partielles et totales ont été calculées. note de thèses : Mémoire de master en génie des procédés

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GP 01-96	GP 01-96	CD	BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE	théses (tec)	Disponible

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