Titre :	Étude et modélisation de cristaux photoniques en silicium(Si) : application au capteurs de température
Type de document :	document multimédia
Auteurs :	Zohra Largot, Auteur ; Siham Rouina, Auteur ; Hamza Lidjici, Directeur de thèse
Editeur :	Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique
Année de publication :	2023
Importance :	90p.
Accompagnement :	1 CD ROM Optique Numérique
Note générale :	OPTION : Microélectronique OPTION : Instrumentation
Langues :	Français
Mots-clés :	capteurs de température  cristaux photoniques (2D)  bande interdite photonique
Résumé :	L’objectif de cette étude est la conception d’un capteur de température à base des cristaux photonique en silicium (Si) à l’aide du logiciel RSOFT CAD.Le principe de détection est basé sur la variance d'indice de réfraction du Si due au changement de temperature. Nos calculs indiquent que les structures proposées sont très sensibles au changement d’indice de réfraction des trous, une sensibilité jusqu’à S=210nm/RIU est Observée. Dans une plage dynamique de 300K à 400K, nous avons trouvé une sensibilité très élevée d’environ 576nm/RIU.
note de thèses :	Mémoire de Master en électronique

Étude et modélisation de cristaux photoniques en silicium(Si) : application au capteurs de température [document multimédia] / Zohra Largot, Auteur ; Siham Rouina, Auteur ; Hamza Lidjici, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2023 . - 90p. + 1 CD ROM Optique Numérique.
OPTION : Microélectronique
OPTION : Instrumentation
Langues : Français

Mots-clés :	capteurs de température  cristaux photoniques (2D)  bande interdite photonique
Résumé :	L’objectif de cette étude est la conception d’un capteur de température à base des cristaux photonique en silicium (Si) à l’aide du logiciel RSOFT CAD.Le principe de détection est basé sur la variance d'indice de réfraction du Si due au changement de temperature. Nos calculs indiquent que les structures proposées sont très sensibles au changement d’indice de réfraction des trous, une sensibilité jusqu’à S=210nm/RIU est Observée. Dans une plage dynamique de 300K à 400K, nous avons trouvé une sensibilité très élevée d’environ 576nm/RIU.
note de thèses :	Mémoire de Master en électronique