[article] 
in COST > N° 10 [01/01/2012] . - p. 111

Titre :	Étude de L'électrode de contact avant de la structure ito/p-a-si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al avec le logiciel Asdmp
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur
Année de publication :	2012
Article en page(s) :	p. 111
Langues :	Français
Mots-clés :	Cellules solaires  HIT  Simulation  Courbe de bande  Caractéristique I(V)
Résumé :	La courbe de bande entre le TCO / p-a-Si: H est parmi les facteurs les plus importants qui limitent les performances des hétérojonctions à base de silicium amorphe / silicium cristallin Dans cet article nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) pour étudier et analyser l'effet de cette courbe de bande de l'électrode de contact avant de la structure (HIT) ITO / p-a-Si:H / i-pm-Si: H / n-c-Si / Al. Nous avons montre que lorsque l'on augmente cette courbe de bande (Augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel) qui mène à un meilleur contact ohmique entre V'ITO et la couche p-a-Si: H, le Vbi augmente et le champ électrique à l'interface ITO / p-a-Si:H diminue. Cette réduction du champ va permettre aux trous de passer de la couche pau contact, ce qui va faciliter la collecte des paires d'électrons trous.

[article] Étude de L'électrode de contact avant de la structure ito/p-a-si:h/i-pm-si:h/n-c-si/al avec le logiciel Asdmp [texte imprimé] / H. Madani Yassaad, Auteur ; Djaaffar Rached, Auteur . - 2012 . - p. 111.
Langues : Français
in COST > N° 10 [01/01/2012] . - p. 111

Mots-clés :

Cellules solaires  HIT  Simulation  Courbe de bande  Caractéristique I(V)

Résumé :

La courbe de bande entre le TCO / p-a-Si: H est parmi les facteurs les plus importants qui limitent les performances des hétérojonctions à base de silicium amorphe / silicium cristallin Dans cet article nous avons utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program) pour étudier et analyser l'effet de cette courbe de bande de l'électrode de contact avant de la structure (HIT) ITO / p-a-Si:H / i-pm-Si: H / n-c-Si / Al. Nous avons montre que lorsque l'on augmente cette courbe de bande (Augmentation de la hauteur de la barrière de potentiel) qui mène à un meilleur contact ohmique entre V'ITO et la couche p-a-Si: H, le Vbi augmente et le champ électrique à l'interface ITO / p-a-Si:H diminue. Cette réduction du champ va permettre aux trous de passer de la couche pau contact, ce qui va faciliter la collecte des paires d'électrons trous.