Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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Auteur Ahmed Nassim Mohammedi
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| Titre : | Étude ab-initio des défauts intrinsèques dans les matériaux chalcopyrites Cu-III-S2 | | Type de document : | texte manuscrit | | Auteurs : | Ahmed Nassim Mohammedi, Auteur ; Ali Cheknane, Directeur de thèse | | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique | | Année de publication : | 2012 | | Importance : | 98 p | | Format : | 27 cm | | Langues : | Français | | Catégories : | THESES :09 génie électrique
| | Mots-clés : | Semiconducteur Chalcopyrite Défaut Lacune ab-initio DFT Pseudopotentiel LDA GGA Energie de formation | | Résumé : | Les chalcopyrites Cu-III-VI2, sont des semiconducteurs très prometteurs pour les applications dans les cellules solaires en couches minces à haut rendement, en particulier les Cu-III-S2. L’objectif principal de ce travail est de calculer les énergies de formation de lacunes présentes au sein des structures chalcopyrites de type Cu-III-S2. Ces matériaux sont des semiconducteurs très prometteurs pour la fabrication des cellules photovoltaïques en couches minces. Les propriétés structurales et électroniques des structures CuInS2, CuGaS2 et CuAlS2 ont été calculés par la méthode des pseudopotentiels. Cette dernière se base sur la théorie de la fonctionnel de la densité (DFT). Les paramètres de mailles et les positions atomiques sont optimisées, les structures de bandes d’énergies et les densités d’états électroniques pour les trois matériaux sont calculés et sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. La deuxième étape consiste à calculer l’énergie de formation des défauts lacunaires dans les trois structures, tous ces calculs ont été menés par le code ABINIT | | note de thèses : | Mémoire de magister en génie électrique |
Étude ab-initio des défauts intrinsèques dans les matériaux chalcopyrites Cu-III-S2 [texte manuscrit] / Ahmed Nassim Mohammedi, Auteur ; Ali Cheknane, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2012 . - 98 p ; 27 cm. Langues : Français | Catégories : | THESES :09 génie électrique
| | Mots-clés : | Semiconducteur Chalcopyrite Défaut Lacune ab-initio DFT Pseudopotentiel LDA GGA Energie de formation | | Résumé : | Les chalcopyrites Cu-III-VI2, sont des semiconducteurs très prometteurs pour les applications dans les cellules solaires en couches minces à haut rendement, en particulier les Cu-III-S2. L’objectif principal de ce travail est de calculer les énergies de formation de lacunes présentes au sein des structures chalcopyrites de type Cu-III-S2. Ces matériaux sont des semiconducteurs très prometteurs pour la fabrication des cellules photovoltaïques en couches minces. Les propriétés structurales et électroniques des structures CuInS2, CuGaS2 et CuAlS2 ont été calculés par la méthode des pseudopotentiels. Cette dernière se base sur la théorie de la fonctionnel de la densité (DFT). Les paramètres de mailles et les positions atomiques sont optimisées, les structures de bandes d’énergies et les densités d’états électroniques pour les trois matériaux sont calculés et sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. La deuxième étape consiste à calculer l’énergie de formation des défauts lacunaires dans les trois structures, tous ces calculs ont été menés par le code ABINIT | | note de thèses : | Mémoire de magister en génie électrique |
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| Th 09-299-1 | Th 09-299-1 | Livre externe | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | théses (tec) | Disponible |
| th 09-299 | th 09-299 | Thése | SALLE DES THESES bibliothèque centrale | théses en génie électrique | Disponible |
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|---|
| thpg 17-07 | thpg 17-07 | Thése | SALLE DES THESES bibliothèque centrale | théses en physique | Disponible |
