Titre :	Etude de premier principe du composé Ag (Ga,In)Se2
Type de document :	texte manuscrit
Auteurs :	Larbi Ferdi, Auteur ; Houda Imane Faraoun, Directeur de thèse
Editeur :	Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie électrique
Année de publication :	2012/2013
Importance :	98 p
Format :	27 cm
Langues :	Français
Catégories :	THESES :09 génie électrique
Mots-clés :	DFT  FPLAPW  ab initio  chalcopyrites  Structure électronique
Résumé :	Les cellules solaires à base de chalcopyrites ont acquit un intérêt considérable grâce à la large variabilité des propriétés offerte par ces matériaux. Plus particulièrement, les scientifiques s’intéressent à l’ajustement du gap énergétique sur l’un intervalle de valeur qui couvre le spectre visible. Les composés chalcopyrites ont un gap direct qui en fait des candidats adéquats pour les couches minces dans les applications photovoltaïques. Ces matériaux appartiennent à la famille des matériaux semi-conducteurs I-III-VI2 qui cristallisent dans la structure tétragonale. Cette structure est apparentée à la structure cubique zinc-blende des semi-conducteurs II-VI. Dans ce travail, nous entrant d’étudier en utilisant la théorie de la DFT (ab initio) les deux composé AgInSe2 et AgGaSe2 ainsi que leur alliage.
note de thèses :	Mémoire de magister en génie électrique

Etude de premier principe du composé Ag (Ga,In)Se2 [texte manuscrit] / Larbi Ferdi, Auteur ; Houda Imane Faraoun, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département de génie électrique, 2012/2013 . - 98 p ; 27 cm.
Langues : Français

Catégories :	THESES :09 génie électrique
Mots-clés :	DFT  FPLAPW  ab initio  chalcopyrites  Structure électronique
Résumé :	Les cellules solaires à base de chalcopyrites ont acquit un intérêt considérable grâce à la large variabilité des propriétés offerte par ces matériaux. Plus particulièrement, les scientifiques s’intéressent à l’ajustement du gap énergétique sur l’un intervalle de valeur qui couvre le spectre visible. Les composés chalcopyrites ont un gap direct qui en fait des candidats adéquats pour les couches minces dans les applications photovoltaïques. Ces matériaux appartiennent à la famille des matériaux semi-conducteurs I-III-VI2 qui cristallisent dans la structure tétragonale. Cette structure est apparentée à la structure cubique zinc-blende des semi-conducteurs II-VI. Dans ce travail, nous entrant d’étudier en utilisant la théorie de la DFT (ab initio) les deux composé AgInSe2 et AgGaSe2 ainsi que leur alliage.
note de thèses :	Mémoire de magister en génie électrique