Titre :	Étude ab-initio des propriétés électroniques et optiques du Sélénium,du Tellure et des composés binaires MTe(M=Zn, Cd et Hg)
Type de document :	texte manuscrit
Auteurs :	Taher Daham, Auteur ; Bachir Bentria, Directeur de thèse
Editeur :	Laghouat : Université Amar Telidji - Département de chimie
Année de publication :	2009
Importance :	119 p.
Format :	30 cm.
Note générale :	Option : Physico-chimie des matériaux
Langues :	Français
Catégories :	THESES :06 chimie
Mots-clés :	Tellure  Selénium  Structure électronique  Semiconducteurs I1-VI  Otique non linéaire  Indice de réfraction  Successibilité électrique
Résumé :	Le but de ce travail est l'optimisation des paramètres cristallins et le calcul des structures électroniques et des propriétés optiques des matériaux simple Se et Te et des composés binaires ZnTe, CaTe et HgTe par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT "Density Functional Theory". Pour le calcul des structures électroniques on a utilisé deux approches (tout électrons et pseudopotentiels) avec les deux approximations LDA "Local Density Approximation" et GGA "Generilized Gradiant Approximation", Les propriétés optiques linéaires et non linéaires de ces matériaux sont calculées par la théorie moderne de la polarisation couplée à la DFT (PDFT perturbation DFT) moyennant la méthode des pseudopotentiels. Les des successibilités électriques du second ordre obtenus sont valeurs des indices de réfraction en bon accord avec les valeurs expérimentales.
note de thèses :	Mémoire de magister en chimie

Étude ab-initio des propriétés électroniques et optiques du Sélénium,du Tellure et des composés binaires MTe(M=Zn, Cd et Hg) [texte manuscrit] / Taher Daham, Auteur ; Bachir Bentria, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département de chimie, 2009 . - 119 p. ; 30 cm.
Option : Physico-chimie des matériaux
Langues : Français

Catégories :	THESES :06 chimie
Mots-clés :	Tellure  Selénium  Structure électronique  Semiconducteurs I1-VI  Otique non linéaire  Indice de réfraction  Successibilité électrique
Résumé :	Le but de ce travail est l'optimisation des paramètres cristallins et le calcul des structures électroniques et des propriétés optiques des matériaux simple Se et Te et des composés binaires ZnTe, CaTe et HgTe par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT "Density Functional Theory". Pour le calcul des structures électroniques on a utilisé deux approches (tout électrons et pseudopotentiels) avec les deux approximations LDA "Local Density Approximation" et GGA "Generilized Gradiant Approximation", Les propriétés optiques linéaires et non linéaires de ces matériaux sont calculées par la théorie moderne de la polarisation couplée à la DFT (PDFT perturbation DFT) moyennant la méthode des pseudopotentiels. Les des successibilités électriques du second ordre obtenus sont valeurs des indices de réfraction en bon accord avec les valeurs expérimentales.
note de thèses :	Mémoire de magister en chimie