Catalogue des ouvrages Université de Laghouat
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| Titre : | Contribution à l'étude par simulation d'une diode électroluminescente (LED) à base de InGaN/GaN à multi puits quantiques par TCAD SILVACO- | | Type de document : | texte manuscrit | | Auteurs : | Mohamed abdel basset Hamdaoui, Auteur ; Ahmed Badr Eddine Debba, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse | | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique | | Année de publication : | 2022 | | Importance : | 94p. | | Note générale : | OPTION : Microélectroniques | | Langues : | Français | | Résumé : | II-V nitride semiconductor materials are useful for light emitting device in short
wavelength region due to their relatively wide band gap and high emission efficiency.
Different types and structures have been previously studied. In our work, multi
quantum well (MQW) LED based on InGaN/GaN using Silvaco-Atlas software has
been simulated and studied.
The performance of InGaN quantum well based Light Emitting Diodes (multi
quantum wells); (LEDs) had been numerically investigated by Tcad-Silvaco. We
simulated different characteristics in this study to see the effect it will make in terms
of wavelength, I-V characteristic, Luminosity power and Radaitive Recombination
rate.
Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrure III-V sont utiles pour les
dispositifs émetteurs de lumière dans la région des courtes longueurs d'onde en raison
de leur bande interdite relativement large et de leur haute efficacité d'émission.
Différents types et structures ont été précédemment étudiés dans la littérature. Dans
notre travail, une LED à puits quantiques multiples (MQW) basée sur InGaN/GaN
utilisant le logiciel Silvaco-Atlas a été simulée et étudiée.
Les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de puits quantiques
en InGaN (multi quantum wells) ont été étudiées numériquement par Tcad-Silvaco.
Nous avons simulé différentes caractéristiques dans cette étude pour voir l'effet
qu'elles auront en termes de longueur d'onde, de caractéristique I-V, de puissance
lumineuse et de taux de recombinaison radaitive. | | note de thèses : | memoire de master |
Contribution à l'étude par simulation d'une diode électroluminescente (LED) à base de InGaN/GaN à multi puits quantiques par TCAD SILVACO- [texte manuscrit] / Mohamed abdel basset Hamdaoui, Auteur ; Ahmed Badr Eddine Debba, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électronique, 2022 . - 94p. OPTION : Microélectroniques Langues : Français | Résumé : | II-V nitride semiconductor materials are useful for light emitting device in short
wavelength region due to their relatively wide band gap and high emission efficiency.
Different types and structures have been previously studied. In our work, multi
quantum well (MQW) LED based on InGaN/GaN using Silvaco-Atlas software has
been simulated and studied.
The performance of InGaN quantum well based Light Emitting Diodes (multi
quantum wells); (LEDs) had been numerically investigated by Tcad-Silvaco. We
simulated different characteristics in this study to see the effect it will make in terms
of wavelength, I-V characteristic, Luminosity power and Radaitive Recombination
rate.
Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrure III-V sont utiles pour les
dispositifs émetteurs de lumière dans la région des courtes longueurs d'onde en raison
de leur bande interdite relativement large et de leur haute efficacité d'émission.
Différents types et structures ont été précédemment étudiés dans la littérature. Dans
notre travail, une LED à puits quantiques multiples (MQW) basée sur InGaN/GaN
utilisant le logiciel Silvaco-Atlas a été simulée et étudiée.
Les performances des diodes électroluminescentes (LED) à base de puits quantiques
en InGaN (multi quantum wells) ont été étudiées numériquement par Tcad-Silvaco.
Nous avons simulé différentes caractéristiques dans cette étude pour voir l'effet
qu'elles auront en termes de longueur d'onde, de caractéristique I-V, de puissance
lumineuse et de taux de recombinaison radaitive. | | note de thèses : | memoire de master |
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| the 09-151 | the 09-151 | Thése | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | Genie electrique (TEC) | Disponible |
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| thed 09-54 | thed 09-54 | Thése | SALLE DES THESES bibliothèque centrale | théses en génie électrique | Disponible |
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| THT 09-60 | THT 09-60 | Thése | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | théses (tec) | Disponible |
| Titre : | Étude et simulation d’une nouvelle structure des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe (Cu(In,Ga)Se2(CIGS)/Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) CdS/ZnO par SCAPS-1D | | Type de document : | document multimédia | | Auteurs : | Taher Naama, Auteur ; Kada Dada, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse | | Editeur : | Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électrotechnique | | Année de publication : | 2021 | | Importance : | 110 p. | | Accompagnement : | 1 disque optique numérique (CD-ROM) | | Note générale : | Option : Énergies renouvelables en électrotechniques
| | Langues : | Français | | Mots-clés : | CZTSSe Cellules photovoltaïques Couches minces SCAPS-1D | | Résumé : | Parmi les semi-conducteurs quaternaires les plus prometteurs pour améliorer les performances des cellules photovoltaïques en couches minces on trouve le Cu2ZnSn (S, Se)4 CZTSSe composé avec des éléments abondants et non toxiques. En plus d’un gap direct, le CZTSSe et ces atouts, représente un excellent candidat pour alterner les autres matériaux des éléments chalcogènes comme le CIGS et CdTe utilisés dans les photopiles en couches minces. Ce travail a pour but, d’étudier les comportements des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe passant par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO/ CdS/ CZTSSe/ CIGS, on évalue encore l’influence de la température, de la résistance série sur les performances de la cellule solaire, cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D. | | note de thèses : | Mémoire de master en électrotechnique |
Étude et simulation d’une nouvelle structure des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe (Cu(In,Ga)Se2(CIGS)/Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) CdS/ZnO par SCAPS-1D [document multimédia] / Taher Naama, Auteur ; Kada Dada, Auteur ; Naceur Selmane, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département d'électrotechnique, 2021 . - 110 p. + 1 disque optique numérique (CD-ROM). Option : Énergies renouvelables en électrotechniques
Langues : Français | Mots-clés : | CZTSSe Cellules photovoltaïques Couches minces SCAPS-1D | | Résumé : | Parmi les semi-conducteurs quaternaires les plus prometteurs pour améliorer les performances des cellules photovoltaïques en couches minces on trouve le Cu2ZnSn (S, Se)4 CZTSSe composé avec des éléments abondants et non toxiques. En plus d’un gap direct, le CZTSSe et ces atouts, représente un excellent candidat pour alterner les autres matériaux des éléments chalcogènes comme le CIGS et CdTe utilisés dans les photopiles en couches minces. Ce travail a pour but, d’étudier les comportements des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe passant par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO/ CdS/ CZTSSe/ CIGS, on évalue encore l’influence de la température, de la résistance série sur les performances de la cellule solaire, cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D. | | note de thèses : | Mémoire de master en électrotechnique |
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| thq 09-159 | thq 09-159 | CD | BIBLIOTHEQUE DE FACULTE DE TECHNOLOGIE | théses (tec) | Disponible |
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http://dspace.lagh-univ.dz/items/89ad3076-f88a-4107-81b6-0cdd3f1b36a3URL | | |
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Étude et simulation d’une nouvelle structure des cellules photovoltaïques à base de CZTSSe (Cu(In,Ga)Se2(CIGS)/Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) CdS/ZnO par SCAPS-1D / Taher Naama
