Titre :	Étude de premier principe des propriétés structurales,électroniques et optiques du composé ternaire GaP1-xNx par la méthode FP-LMTO
Type de document :	texte manuscrit
Auteurs :	Fatna Lasgaa, Auteur ; Hanifi Mebarki, Directeur de thèse
Editeur :	Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière
Année de publication :	2016
Importance :	93 p.
Format :	30 cm.
Accompagnement :	1 disque optique numérique (CD-ROM)
Note générale :	Option : Physique des matériaux
Langues :	Français
Mots-clés :	Semiconducteurs III-V  GaP  GaN  DFT  FP-LMTO  LDA  VCA  Alliage
Résumé :	Les semi-conducteurs III-V et leurs alliages correspondants, occupent actuellement une position privilégiée dans plusieurs domaines d’applications tels que l’optoélectronique. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et optiquesdes composées binaire des semi-conducteur le (GaP)et le(GaN) et leurs alliage ternaire . Pour ceci, nous avons utilisé la méthode LMTO (Linear muffin-tin orbital) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’énergie d’échange et de corrélation est décrite dans l’approximation de la densité locale (LDA) en employant la paramétrisation de vosko. Nous avons étudiés l’effet de la composition sur les propriétés structurales telles que le paramètre d’équilibre, le module de compressibilité et les énergies des structures de bande. Nous rapportons les résultats concernant la variation des structures de la bande directe et indirecte et la densité d’états des deux binaire et leur alliage ternaire, et on a calculé l’indice de réfraction et le constant diélectrique statique.
note de thèses :	Mémoire de master en physique

Étude de premier principe des propriétés structurales,électroniques et optiques du composé ternaire GaP1-xNx par la méthode FP-LMTO [texte manuscrit] / Fatna Lasgaa, Auteur ; Hanifi Mebarki, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière, 2016 . - 93 p. ; 30 cm. + 1 disque optique numérique (CD-ROM).
Option : Physique des matériaux
Langues : Français

Mots-clés :	Semiconducteurs III-V  GaP  GaN  DFT  FP-LMTO  LDA  VCA  Alliage
Résumé :	Les semi-conducteurs III-V et leurs alliages correspondants, occupent actuellement une position privilégiée dans plusieurs domaines d’applications tels que l’optoélectronique. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et optiquesdes composées binaire des semi-conducteur le (GaP)et le(GaN) et leurs alliage ternaire . Pour ceci, nous avons utilisé la méthode LMTO (Linear muffin-tin orbital) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’énergie d’échange et de corrélation est décrite dans l’approximation de la densité locale (LDA) en employant la paramétrisation de vosko. Nous avons étudiés l’effet de la composition sur les propriétés structurales telles que le paramètre d’équilibre, le module de compressibilité et les énergies des structures de bande. Nous rapportons les résultats concernant la variation des structures de la bande directe et indirecte et la densité d’états des deux binaire et leur alliage ternaire, et on a calculé l’indice de réfraction et le constant diélectrique statique.
note de thèses :	Mémoire de master en physique