Titre :	Étude de l'effet de pression sur les propriétés structurales, électroniques et élastiques du composé BaWO4 on phase scheelite
Type de document :	texte manuscrit
Auteurs :	Ibtissam Tounsi, Auteur ; Abdennour Benmakhlouf, Directeur de thèse ; Ali Benghia, Directeur de thèse
Editeur :	Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière
Année de publication :	2016
Importance :	71 p.
Format :	30 cm.
Accompagnement :	1 disque optique numérique (CD-ROM)
Note générale :	Option : Physique des matériaux
Langues :	Français
Mots-clés :	DFT  BaWO4  CASTEP
Résumé :	Les objectifs de ce travail est de calculer les propriétés structurales, électroniques et élastiques de la structure ternaire scheelite BaWO4 à pression nulle et le comportement de ces propriétés avec la pression jusqu'à 7 GPa. Les calculs sont effectués dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) en utilisant l'approximation GGA et la fonctionnelle PW91. Nos résultats sont en bon accord avec les autres données des expérimentales et théoriques disponibles. La structure de la bande et la densité des états des diagrammes ont été calculés et analysés, ce composé démontre un comportement semi-conducteur avec un grand gap direct.
note de thèses :	Mémoire de master en physique

Étude de l'effet de pression sur les propriétés structurales, électroniques et élastiques du composé BaWO4 on phase scheelite [texte manuscrit] / Ibtissam Tounsi, Auteur ; Abdennour Benmakhlouf, Directeur de thèse ; Ali Benghia, Directeur de thèse . - Laghouat : Université Amar Telidji - Département des sciences de la matière, 2016 . - 71 p. ; 30 cm. + 1 disque optique numérique (CD-ROM).
Option : Physique des matériaux
Langues : Français

Mots-clés :	DFT  BaWO4  CASTEP
Résumé :	Les objectifs de ce travail est de calculer les propriétés structurales, électroniques et élastiques de la structure ternaire scheelite BaWO4 à pression nulle et le comportement de ces propriétés avec la pression jusqu'à 7 GPa. Les calculs sont effectués dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) en utilisant l'approximation GGA et la fonctionnelle PW91. Nos résultats sont en bon accord avec les autres données des expérimentales et théoriques disponibles. La structure de la bande et la densité des états des diagrammes ont été calculés et analysés, ce composé démontre un comportement semi-conducteur avec un grand gap direct.
note de thèses :	Mémoire de master en physique